长鑫科技（688825.SH）旗下子公司长鑫存储的总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍了一项新型DRAM（动态随机存取存储器）技术，名为4F²。该技术预计将在年底推出最新的DDR5 RDIMM产品。曹堪宇指出，4F²架构在DRAM存储阵列的晶体管上进行了创新，采用VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管设计，以提高栅控效率，解决漏电和短沟道效应问题。同时，这种垂直结构有助于减小面积，提高存储密度。
DRAM行业正在朝着更高存储密度的方向发展。通常，一个存储单元由一个晶体管（1T）和一个电容（1C）组成，F（最小特征尺寸）代表光刻工艺所能实现的最小线宽或间距。4F²意味着每个单元的面积为4倍最小特征尺寸的平方，相较于当前主流的6F²架构，4F²能在同一面积内容纳更多的晶体管，从而提高存储密度。
此外，4F²技术还针对传统制造工艺中的瓶颈提出了改进方案。最初，4F²关注于二维晶体管设计，但随着6F²架构的小型化变得更具挑战性，行业内逐渐推动4F²向三维发展，通过解耦DRAM与CMOS制造工艺及采用晶圆级混合键合技术来实现更高的逻辑性能和存储单元密度，部分解决了工艺瓶颈问题。曹堪宇透露，长鑫在4F²架构方面已拥有超300项公开专利，处于行业领先地位。 d88尊龙
推出新技术是长鑫在服务器内存市场上扩展的尝试，传统上，该市场主要由海外企业主导。相比追求速度的消费级内存，服务器内存要求更高的技术支持以保证系统的持续运作。因此，长鑫将4F²架构的首个产品定位为DDR5 RDIMM，以应对服务器内存领域的技术挑战。
在服务器市场，长鑫科技的总经理赵纶在最近的业绩说明会上表示，公司上半年在该领域的业务拓展持续进行，相关产品的贡献逐渐增加。近期，长鑫科技还频繁更新其技术进展，8月底宣布了最新一代低功耗内存LPDDR6实现量产，并成为行业内较早实现此技术量产的企业。9月，长鑫存储在世界制造业大会上公布了其第六代DRAM技术平台（G5）已完成量产，这一平台接近全球领先的内存生产工艺。
市场研究机构Counterpoint的数据显示，长鑫科技在2023年第二季度全球DRAM厂商收入排名中占有7%的市场份额，位列第四。 d88尊龙
